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台北故宫文物毁损调查报告

台北故宫文物毁损调查报告

1、CCD(Charge Couple Device)中文名为“电荷耦合器件”，是一种以电荷包的形式存储和传递信息的半导体表面器件。1969年，美国贝尔电话实验室的w．S．Boyle和G．E．Smith在探索磁泡器件的电模拟过程中，产生了电荷耦合器件原理的设想，并在实验中得到验证。最初，CCD只是作为存储器件使用，但后来依靠已经成熟的MOS集成电路工艺，CCD技术得到迅速的发展。

2、CCD是一种大规模集成电路工艺制作的半导体光电元件，它在半导体硅片上制有成千上万个光敏元，产生与照在它上面的光强成正比的电荷。CCD基本构成单元是MOS电容器，它以电荷为信号，通过对金属电极施加时钟脉冲信号，在半导体内部形成储存载流子的势阱。当光或电注入时，将代表信号的载流子引入势阱，再利用时钟脉冲的规律变化，使电极下的势阱作相应变化，就可以使代表输入信号的载流子在半导体表面作定向运动，再通过对电荷的收集、放大，把信号取出。

3、世界各科技强国在CCD研制、开发及应用领域都投入了大量的人力、物力和财力，展开了广泛而深入的工作。美国是研究CCD技术最早的国家，在该领域一直处于领先地位。Bell实验室是CCD研究的发源地，并在CCD传感器和电荷信号处理研究方面保持优势。通用电器(GEC)、无线电(RCA)和柯达fKODAK)等著名公司的研究机构在面向军、民用及工艺研究居于领先地位。日本是CCD生产大国，产量居世界之首。索尼(SONY)、NEC等公司的CCD研发很快，已成为美国强大的竞争对手。[1]

4、1974年，美国RCA公司的512×320像元面阵CCDOO机问世。近年来， 随着大规模、超大规模集成电路工艺的'发展，CCD研制水平不断提高，阵列元素不断增加，CCDOO机的性能也越来越好，并且CCD芯片的成品率不断提高，器件尺寸不断缩小。CCD图像传感器的像素高密度集成化己有了显著的突破，线阵CCD的像元数己从128个发展到15，000个，而且面阵CCD的像元数也高达9000×9000个，像元尺寸己做到79m以下。为满足医学应用，己出现了像元面积为7mm内含4～8万像素的阵列、用于胃镜和肠镜中的小面积成像器件。美国LOCKHEED MATIN公司1996年制作出像素尺寸8．75¨m×8．759m、9000×9000像素的CCD；而像素尺寸10pm×10pm、像素规模10000×10000的CCD已于2000年完成设计。日