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有关芯片的OO

半导体方面OO

改变光电管照度对i-u曲线有何影响

关于初中物理实验教学的OO

有关芯片的OO

1、1980年前，我国半导体产业已经形成较完整的包括设备、原料、制造、工艺等方面的科研和生产体系，主要分布于原电子部（OOOOO）、中国科学院和OO部系统。 OOOO以来，经过大规模引进消化和90年代的重点建...

2、摘要本文重点对半导体硅材料，GaAs和InP单晶材料，半导体超晶格、量子阱材料，一维量子线、零维量子点半导体微结构材料，宽带隙半导体材料，光子晶体材料，量子比特构建与材料等目前达到的水平和器件应用概况及其...

3、摘要：知识、技能、情感、态度是研究性学习不可或缺的四要素，当然，对主体性和创造性价值的培养也同样重要,以此方式促进教师向以学生为主体这一现代教学理念的转变。我们将研究性学习思想引入到半导体物理的教学...

4、摘要:为适应新时期人才培养需要，在我校教学项目的支持下，对大四专业实验课程半导体物理实验进行一系列的教学OO，旨在侧重于学生的实践动手能力、创新能力和综合素质的培养和提高。通过两年的实践，教师和学生...

半导体方面OO

1、面貌,而是三极管芯片经过封装后的产品。封装技术对于芯片来说是必须的,也是非常重要的。因为芯片必须与外界隔离,以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。另一方面,封装后的芯片也更便于安装和运输。由于封装技术的好坏直接影响到芯片

2、面贴装型和高级封装三类。从DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到CSP再到SIP,技术指标一代比一代先进。总体说来,半导体封装经历了三次重大革新:第一次是在上世纪80年代从引脚

3、插入式封装到表面贴片封装,它极大地提高了印刷电路板上的组装密度;第二次是在上世纪90年代球型矩阵封装的出现,满足了市场对高引脚的需求,改善了半导体器件的性能;芯片

改变光电管照度对i-u曲线有何影响

1、四探针测试法是测量半导体材料电阻率的主要手段，光照是影响测试精度的一种环境因素。文章利用RTS-8型四探针测试仪在不同光照环境下对样品进行测试，分析测量数据，结合相关理论，研究光照对测量结果的影响机制。本文主要分析光照对测量精度的影响。

2、半导体材料通常能强烈地吸收光能，具有数量级约为105cm-1的吸收系数。吸收系数的大小可以反映半导体材料吸收光能的能力，通常用α来表示。材料吸收光的能力常常与入射光子能量有关。若外界有稳定的一定波长的光照作用在被测硅片表面，半导体材料吸收光辐射能量，从而导致价带中的电子获得足够能量从价带跃迁到导带，在价带中留下空O，这样在半导体中产生了电子-空O对，这个过程也被称为本征吸收。要使半导体材料发生本征吸收，入射光子的能量需要满足hν≥Eg的条件，否则电子的跃迁则不能发生。被测硅片样品对不同能量的光子的吸收能力是不同的。图1所示的.是硅材料的吸收系数α和入射光子能量hν之间的关系。

3、测试所用样品的外延层和衬底之间要有pn结隔离，或者外延层的电阻率要比衬底的电阻率小得多。测试仪探针的导电性能要好，与被测材料的接触电势差要小，同时，探针的位置要固定，防止探针游移。

4、在测量过程中，电流源提供的电流的相对变化不能超过0.05%。工作电流的选择主要取决于被测样品的电阻率大小。如果选取的工作电流过小，则测量电压的难度将提升;选取较大的工作电流可以测得较高的电压值，这可以提高测量的精确性，但是工作电流过大会使得被测样品发热，样品的电阻率随之发生变化，这又降低了测量的精度。所以为了选取合适的工作电流，需要先获得被测样品的I-V特性关系，根据I-V关系将工作电流控制在线性较好的范围内，这样被测样品的电阻率就不会随着电流的变化有过大变化，测量的精度可以得到保证。

关于初中物理实验教学的OO

1、摘要:为适应新时期人才培养需要，在我校教学项目的支持下，对大四专业实验课程半导体物理实验进行一系列的教学OO，旨在侧重于学生的实践动手能力、创新能力和综合素质的培养和提高。通过两年的实践，教师和学生普遍感觉到新实验教学体系的目的性、整体性和层次性都得到了极大的提高，教学内容和教学方式的调整，使学生理论联系实际的能力得到增强，大大提高了学生的积极性和主动性。

2、实验教学作为高校教学环节中的一个重要组成部分，不仅因为其是课堂教学的延伸，更由于通过实验教学，可以加深学生对理论知识的理解，培养学生的动手能力，拓展学生的创造思维［1，2］。实验教学分为基础实验和专业实验两部分［3，4］:基础实验面向全校学生，如大学物理实验、普通化学实验等，其主要任务是巩固学生对所学基础知识和规律的理解，旨在提高学生的观察、分析及解决问题的能力，提供知识储备［5，6］;与基础实验不同，专业实验仅面向某一专业，是针对专业理论课程的具体学习要求设计的实验教学内容，对于学生专业方向能力的提高具有极强的促进作用［7～8］。通过专业实验教学使学生能够更好的理解、掌握和应用基础知识和专业知识，提高分析问题的能力并解决生活中涉及专业的实际问题，为学生开展专业创新实践活动打下坚实的基础［9～11］。

3、半导体物理实验是物理学专业电子材料与器件工程方向必修的一门专业实验课，旨在培养学生对半导体材料和器件的制备及测试方法的实践操作能力，其教学效果直接影响着后续研究生阶段的学习和毕业工作实践。通过对前几年本专业毕业生的就业情况分析，发现该专业毕业生缺乏对领域内前沿技术的理解和掌握。由于没有经过相关知识的实验训练，不少毕业生就业后再学习过程较长，融入企事业单位较慢，因此提升空间受到OO。1．1教学内容简单陈旧。目前，国内高校在半导体物理实验课程教学内容的设置上大同小异，基础性实验居多，对于新能源、新型电子器件等领域的相关实验内容完全没有或涉及较少。某些高校还利用虚拟实验来进行实验教学，其实验效果远不如学生实际动手操作。我校的半导体物理实验原有教学内容主要参照上个世纪八十年代国家对半导体产业人才培养的要求所设置，受技术、条件所限，主要以传统半导体物理的基础类实验为主，实验内容陈旧。但是在实验内容中添加新能源、新型电子器件等领域的技术方法，对于增加学生对所学领域内最新前沿技术的了解，掌握现代技术中半导体材料特性相关的实验手段和测试技术是极为重要的。1．2仪器设备严重匮乏。半导体物理实验的教学目标是使学生熟练掌握半导体材料和器件的制备、基本物理参数以及物理性质的测试原理和表征方法，为半导体材料与器件的开发设计与研制奠定基础。随着科学技术的不断发展，专业实验的教学内容应随着专业知识的更新及行业的发展及时调整，从而能更好的完成课程教学目标的要求，培养新时代的人才。实验内容的调整和更新需要有新型的实验仪器设备做保障，但我校原有实验教学仪器设备绝大部分生产于上个世纪六七十年代，在长期实验教学过程中，不少仪器因无法修复的故障而处于待报废状态。由于仪器设备不能及时更新，致使个别实验内容无OO常进行，可运行的仪器设备也因为年代久远，实验误差大、重复性低，有时甚至会得到错误的实验结果，只能作学生“按部就班”的基础实验，难以进行实验内容的调整，将新技术新方法应用于教学中。因此，在OO之前半导体物理实验的实验设计以基础类实验为主，设计性、应用性、综合性等提高类实验较少，且无法开展创新类实验。缺少自主设计、创新、协作等实践能力的训练，不仅极大地降低学生对专业实验的兴趣，且不利于学生实践和创新创业能力的培养，半导体物理实验课程的OO势在必行。

4、半导体物理实验开设时间为本科大四秋季学期，该实验课与专业理论课半导体物理学、半导体器件、薄膜物理学在同一学期进行。随着半导体技术日新月异发展的'今天，对半导体物理实验的教学内容也提出了新的要求，因此，要求这门实验课程不仅能够通过对半导体材料某些重要参数和特性的观测，使学生掌握半导体材料和器件的制备及基本物理参数与物理性质的测试方法，而且可以在铺垫必备基础和实际操作技能的同时，拓展学生在电子材料与器件工程领域的科学前沿知识，为将来OO开展产品的研制和科学研究打下坚实的基础。